Tesla уменьшила объем RAM в AI5 и AI6

Tesla сокращает память в ускорителях AI5 и AI6 без ущерба для антропоморфных роботов

Анастасия Ратникова
Анастасия Ратникова Технический редактор
2 октября 2026

Tesla вынуждена оптимизировать память чипов AI5 и AI6 из-за дефицита DRAM. Узнайте, как изменения повлияют на работу роботов Optimus и системы FSD.

Изображение записи

Илон Маск сообщил о пересмотре технических характеристик для своих вычислительных платформ AI5 и AI6. Изменения затронули объем внешней оперативной памяти: чип AI5 получит 72 ГБ LPDDR5 вместо ранее запланированных 144 ГБ, а AI6 — 144 ГБ LPDDR6 (вместо целевых 216 ГБ). Причина понятна — ограничения в цепочках поставок оперативной памяти и необходимость снижения себестоимости целевых устройств для масштабирования массового производства.

Про чипы

Ускорители AI5 и AI6 разрабатываются Tesla для работы бортового комплекса автономного вождения FSD (Full Self-Driving) на электромобилях, а также для управления антропоморфными роботами Optimus, на массовый выпуск которых сейчас ориентируется компания.

Чип AI5 изготавливается по 2-нм техпроцессу на мощностях TSMC и Samsung. Архитектура объединяет крупный центральный вычислительный кристалл и 12 микросхем LPDDR5, разведенных по периферии подложки. Производительность AI5 заявлена на уровне 2 000–2 500 TOPS. Одночиповая конфигурация по вычислительной мощности сопоставима с ускорителями NVIDIA® H100®, тогда как двухчиповые сборки ориентированы на конкуренцию с решениями на базе NVIDIA® Blackwell™. Пробный выпуск AI5 уже стартовал на фабрике Samsung в городке Тейлор (штат Техас), а полномасштабное серийное производство запланировано на 2027 год.

Чип Tesla AI5 со снятой крышкой, демонстрирующий кремниевый кристалл, окружающие чипы памяти SK Hynix и маркировку на металлической рамке подложки.
Источник.

Заявление о сокращении объема DRAM вызвало бурную дискуссию о снижении производительности алгоритмов нейросетевого управления роботом Optimus. Однако Маск утверждает, что падение эффективности будет незначительным благодаря аппаратным особенностям архитектуры чипов.

Структура самих кристаллов такова, что около половины площади вычислительных блоков на чипе выделено под накристальный буфер SRAM. За счет интеграции такого объема SRAM локальные матричные операции и промежуточные активации нейросети обрабатываются непосредственно внутри кристалла. Эффективная пропускная способность при работе с внутренним SRAM-буфером на порядок превышает ПСП внешней DRAM. Это существенно снижает зависимость системы от объема и ширины шины внешней ОЗУ при инференсе оптимизированных моделей.

Что в итоге

Даже с учетом корректировки спецификаций Tesla требования к памяти в сегменте автономных устройств остаются высокими. По оценкам Micron, современному антропоморфному роботу для автономной работы и локального выполнения нейросетевых моделей требуется не менее 200 ГБ DRAM и несколько терабайт энергонезависимой памяти NAND.

Ограниченность мировых объемов выпуска DRAM и удорожание кремниевых пластин заставляют Tesla смещать фокус с чисто аппаратного наращивания ресурсов в сторону алгоритмической оптимизации и квантования нейросетей, чтобы уместить требуемые модели в лимит 72 ГБ LPDDR5 для AI5 и 144 ГБ LPDDR6 для AI6.