Компания MSI анонсировала внедрение фирменной технологии High-Efficiency Mode для материнских плат с AM5. Функция предназначена для автоматической оптимизации субтаймингов на DDR5 с поддержкой профилей AMD EXPO™.
По заявлениям производителя, данный режим позволяет получить задержки, сопоставимые с премиальными комплектами памяти стандарта AMD EXPO™ ULL, без необходимости переплачивать за них пару сотен долларов.
Про AMD EXPO ULL
Технология AMD EXPO™ ULL (Ultra Low Latency) — это расширенный профиль разгона памяти DDR5, в котором, помимо стандартных первичных таймингов (CAS Latency, tRCD, tRP, tRAS), зафиксированы более агрессивные значения вторичных и третичных таймингов (tRFC, tREFI, tFAW, tRRD и другие).
Сниженные субтайминги очень важны для архитектуры AMD Zen™ 4 и Zen™ 5: они уменьшают межконтроллерные задержки и простои ядер при обращении к DRAM. Это дает прирост производительности в чувствительных к памяти играх и специфических вычислительных задачах.
Однако комплекты DDR5 с заводским профилем EXPO™ ULL стоят существенно дороже базовых модулей DDR5-6000 CL30/CL32.
Принцип работы MSI High-Efficiency Mode
MSI интегрировала режим High-Efficiency Mode в UEFI BIOS (MSI Click BIOS X) во вкладку Overclocking. Чтобы опция появилась в меню, необходимо загрузить последнюю версию BIOS с официального сайта.
Суть работы функции заключается в автоматическом пересчете и сокращении вторичных и третичных субтаймингов под текущую конфигурацию памяти без изменения опорной частоты и без смены первичной формулы таймингов (CL-tRCD-tRP-tRAS).
Для гибкой настройки стабильности системы производитель предусмотрел четыре пресета.
- Relax — базовый уровень оптимизации, гарантирующий максимальную стабильность системы.
- Balance — универсальный режим, обеспечивающий оптимальный баланс между снижением задержек и стабильной работой большинства комплектов.
- Tighter — продвинутый режим для комплектов с запасом по охлаждению.
- Tightest — предельно сниженные субтайминги для получения максимума производительности.
Тесты и результаты оптимизации
MSI опубликовала результаты внутренних тестов, проведенных на материнской плате MSI B850MPOWER в связке с процессором AMD Ryzen™ 7 9800X3D и двумя комплектами памяти G.Skill DDR5-6000 2×16 ГБ (сравнение базового комплекта EXPO и комплекта EXPO ULL).
Для тестов использовался режим Tightest.
| Комплект памяти | Спецификация профиля | Без High-Efficiency Mode | С включенным High-Efficiency Mode (Tightest) |
| Стандартный EXPO | DDR5-6000 CL30-38-38-96 | 79,4 нс | 71,6 нс (-7,8 нс) |
| EXPO ULL | DDR5-6000 CL30-38-38-32 | 71,4 нс | 71,1 нс (-0,3 нс) |
Включение High-Efficiency Mode позволяет сократить задержку с 79,4 нс до 71,6 нс. Падение задержки почти на 8 нс (~9,8%) достигается исключительно за счет сокращения вторичных и третичных таймингов в BIOS, без изменения частоты или первичных задержек. Получается, задержка базового комплекта с активированным High-Efficiency Mode (71,6 нс) практически идентична показателям дорогого модуля EXPO™ ULL «из коробки» (71,4 нс).
Активация функции на комплекте, который уже имеет заводскую оптимизацию ULL, снижает задержку лишь с 71,4 нс до 71,1 нс (выигрыш всего в 0,3 нс).
Выглядит так, будто покупать более дорогие модули памяти стандарта EXPO™ ULL при наличии платы MSI на AM5 больше нет необходимости — аналогичную производительность и задержки можно получить «в один клик» на обычной памяти EXPO™. Но так ли все просто?
Нюансы
Главная задача High-Efficiency Mode — сократить задержки там, где производители модулей обычно оставляют перестраховочный запас. Если у вас уже стоят дорогие планки с заводской ULL-оптимизацией, трогать эту функцию нет смысла. Выигрыш в 0,3 нс не стоит потенциальной потери стабильности, ведь эти модули и так работают на пределе своих возможностей. А вот для стандартных комплектов режим станет отличным бесплатным бустом.
Пределы настройки определяются архитектурой конкретных чипов DRAM:
- Агрессивные профили (Tightest/Tighter) существенно сокращают паузы на регенерацию ячеек памяти. На это способны только полупроводники с высоким запасом по разгону и устойчивостью к нагреву.
- Щадящие профили (Balance/Relax) рассчитаны на менее отзывчивые кристаллы. Если переборщить с таймингами, ячейки памяти начнут терять заряд при нагреве, что приведет к вылетам приложений или BSOD.
Таким образом, после активации режима стоит обязательно протестировать память под нагрузкой. Если система ведет себя нестабильно, не обязательно откатываться к базовым настройкам — достаточно переключиться на шаг ниже (например, с Tightest на Tighter или Balance).
